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具铅直MOS晶体管之DRAM胞元排列及其制造方法

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沿着内存胞元矩阵的某一行(column)所排列的沟道区域(6)乃是一被栅极介电层(9)所围绕的肋条(7)之一部分。属于某列(row)的MOS晶体管之栅电极(11，12)则是一类似条状之字符线(10)的一部分，以致于在该内存胞元矩阵的每个交叉点都各具有一伴随着联合字符线(10)之栅电极(11，12)的铅直双栅极MOS晶体管，其中该联合字符线(10)系位于联合肋条(7)两侧上的沟槽(5)之中。

著录项

公开/公告号CN1290198C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-12-13

原文格式PDF
申请/专利权人因芬尼昂技术股份公司;
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申请/专利号CN02810908.2
发明设计人 B·李;T·施莱塞;
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申请日2002-05-23
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人程天正
地址德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 08:58:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-09-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/108 授权公告日:20061213 申请日:20020523

专利权的终止
2006-12-13

授权

授权
2004-09-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-07-14

公开

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