SGT; S-SGT; DRAM; Three-dimensional memory;
机译:使用自对准互连制造技术的新型三维高密度堆叠环绕栅晶体管(S-SGT)闪存架构,无需光刻工艺即可用于太比特级及以上
机译:用于高速和低压操作的堆叠式环绕栅晶体管(S-SGT)DRAM的分析
机译:具有堆叠环绕栅晶体管(S-SGT)结构单元的新型超高密度闪存
机译:2.4F〜2存储单元技术,堆叠围绕栅极晶体管(S-SGT)DRAM
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:一种新颖的单晶体管动态随机存取存储器(1T DRAM)具有部分插入的宽带隙双壁垒适用于高温应用
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式完全逻辑兼容的多时可编程非易失性的非易失性存储器,用于高-$ k $-$-$-Metal-Gate CMOS技术