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Advanced Characterization Method for Sub-Micron DRAM Cell Transistors

机译：亚微米DRAM单元晶体管的高级表征方法

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Ikuo Kurachi;
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年度 1999
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1. Advanced Characterization Method for Sub-Micron DRAM Cell Transistors [J] . Ikuo KURACHI IEICE Transactions on Electronics . 1999,第4期

机译：亚微米DRAM单元晶体管的高级表征方法
2. Using CMOS Sub-Micron Technology VLSI Implementation of Low Power, High Speed SRAM Cell and DRAM Cell [J] . Viplav A. Soliv, Ajay A. Gurjar International Journal of VLSI Design & Communication Systems . 2011,第4期

机译：使用CMOS亚微米技术的VLSI实现低功耗，高速SRAM单元和DRAM单元
3. Characterization of an Oxide Trap Leading to Random Telegraph Noise in Gate-Induced Drain Leakage Current of DRAM Cell Transistors [J] . Oh B., Cho H.-J., Kim H., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第6期

机译：DRAM晶体管的栅极感应漏电流中导致随机电报噪声的氧化物陷阱的特性
4. Advanced characterization method for sub-micron DRAM cell transistors [C] . Kurachi, I. . 1998

机译：亚微米DRAM单元晶体管的高级表征方法
5. Optical method for high magnification imaging and video recording of live cells at sub-micron resolution [D] . Romo, Jaime E., Jr. 2016

机译：亚微米分辨率高放大率成像的光学方法和Live Cells的视频记录
6. Methods for rapid frequency-domain characterization of leakage currents in silicon nanowire-based field-effect transistors [O] . Tomi Roinila, Xiao Yu, Jarmo Verho, 2014

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7. Using CMOS Sub-Micron Technology VLSI Implementation of Low Power, High Speed SRAM Cell and DRAM Cell [O] . Mr.Viplav A. Soliv, Dr. Ajay A. Gurjar2 2011

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