一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法，包括以下步骤：将金属基底和反应源置于真空反应装置中，抽真空，将反应源超过其熔点的温度进行加热使其挥发，通过载气输运到金属基底处，在250～1000℃反应温度下保持1～180min使金属基底与反应源反应，获得厚度可控的二维硫属化合物原子级薄膜。本发明采用化学气相沉积法，在同质的金属基底直接经过硫化、硒化、碲化可控生长出原子级薄膜，从而提供了一种制备大面积硫属化合物薄膜的方法。