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基于耦合腔的单模高速调制法布里‑珀罗半导体激光器

摘要

一种基于耦合腔的单模高速调制法布里一珀罗半导体激光器,包括:一管芯,该管芯为一叠层结构,包括:一下电极;一下接触层,其制作在下电极上;一N型衬底,其制作在下接触层上;在N型衬底上分为两部分,一是为法布里珀罗型微腔,二是为回音壁型微腔,该法布里一珀罗型微腔制作在N型衬底上,其一端与N型衬底的一端齐平,该回音壁型微腔制作在N型衬底上,位于法布里一珀罗型微腔的另一端,该法布里一珀罗型微腔和回音壁型微腔的层叠结构相同。本发明是将高功率的法布里一珀罗微腔与单模高速调制回音壁型微腔相结合,通过调节两腔之间的模式耦合以调节法布里一珀罗微腔的等效反射率,从而实现高功率、单模激射和更好的高速调制特性。

著录项

  • 公开/公告号CN104868359B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201510309493.1

  • 申请日2015-06-08

  • 分类号H01S5/10(20060101);H01S5/14(20060101);H01S5/06(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 10:08:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-23

    授权

    授权

  • 2015-09-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/10 申请日:20150608

    实质审查的生效

  • 2015-08-26

    公开

    公开

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