法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B 6/10 授权公告日:20060927 终止日期:20130227 申请日:20040227
专利权的终止
2010-04-21
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G02B 6/10 变更前: 变更后: 申请日:20040227
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2006-09-27
授权
授权
2005-03-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-01-05
公开
公开
机译: 具有蚀刻停止层的绝缘体上硅基板,其制造方法,在其上制造的绝缘体上硅集成电路以及使用该绝缘体上硅的绝缘体上集成电路的制造方法
机译: 具有蚀刻停止层的绝缘体上硅基板的制造方法,在其上制造的绝缘体上硅集成电路以及使用该绝缘体上硅的绝缘体上集成电路的制造方法
机译: 在绝缘体上的硅 - 在绝缘体上提供波导的光学隔离的方法和结构