法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N21/65 授权公告日:20180123 终止日期:20190128 申请日:20160128
专利权的终止
2018-01-23
授权
授权
2016-06-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/65 申请日:20160128
实质审查的生效
2016-05-25
公开
公开
机译: 使用具有双截面的薄膜试样的弹性模量测量方法,具有双截面的薄膜试样的热膨胀系数测量方法,弹性系数和系数的连续性,热系数的连续性通过使用具有另一种宽度的一个薄膜样本进行一项实验,使薄膜样本的弹性系数和热膨胀系数
机译: 设备例如散射光测量装置,一种校准方法,涉及使测量值与物质之间发生相关,该物质与样品的吸收系数和散射系数成正比
机译: 制造GaN单晶基体以减小热膨胀系数之间的差异而减小应力产生的方法是通过减小GaN单晶基体与GaN单晶基体之间的接触面积来实现的