法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-12
授权
授权
2016-02-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/812 申请日:20150826
实质审查的生效
2015-12-02
公开
公开
机译: 具有碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短路沟道的短路沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
机译: 具有短沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短沟道的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
机译: 功率金属氧化物半导体晶体管例如用于集成电路的功率绝缘栅双极晶体管具有以沟道区为特征的反相沟道,形成在主体区的一部分中并布置在一个半导体层中