硅基低漏电流悬臂梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门

摘要

本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门由两个悬臂梁栅NMOS管即第一NMOS管(1)和第二NMOS管(2)以及一个负载电阻(3)组成，两个NMOS管的源极连接在一起共同接地，漏极也连接在一起随后通过负载电阻(3)与电源电压相连接，两路输入信号A、B分别在两个NMOS管的栅极上输入，输出信号在两个NMOS管的漏极和负载电阻(3)之间输出；引线(4)用Al制作，NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层(5)的上方形成悬臂梁栅(6)，悬臂梁栅(6)的一端固定在锚区(7)上，另一端悬浮在二氧化硅层(5)的上，当所加电压小于NMOS管的阈值电压时悬臂梁栅就不能下拉，使本发明中的或非门具有较小的直流漏电流。