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机译:双栅金属氧化物半导体场效应晶体管中的波函数穿透效应:器件尺寸对弹道漏电流的影响
Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka-1000, Bangladesh;
Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka-1000, Bangladesh;
Department of Electrical and Electronic Engineering, East West University, Dhaka 1212, Bangladesh;
机译:波函数穿透对在(100)和(110)硅表面上制造的双栅Mosfets中的弹道漏电流的影响
机译:归因于背栅阶跃电位的纳米级双栅绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的短沟道效应减小
机译:图像和交换相关效应对纳米级双栅金属氧化物半导体晶体管中弹道电子传输的影响
机译:考虑波函数穿透效应的双栅MOS结构栅漏电流的计算
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:尺度效应对石墨烯片弹道穿透的影响
机译:室温晶圆上弹道石墨烯场效应晶体管 有斜双门
机译:mOs器件中栅极引漏漏电流