准分子激光退火装置及低温多晶硅薄膜的制备方法

摘要

本发明提供一种准分子激光退火装置和一种低温多晶硅薄膜的制备方法。用于解决现有技术存在的由于低温多晶硅薄膜退火中退火时有效退火时间短，晶粒较小的问题。本发明的准分子激光退火装置，由于在待处理衬底远离所述非晶硅薄膜的一侧设有加热单元，用于对所述待处理衬底进行加热。该加热单元在对待处理衬底进行退火过程中将衬底加热，减少待处理衬底与非晶硅薄膜之间的温度差，激光照射在非晶硅薄膜产生的热量不会快速的传导至衬底，减缓非晶硅薄膜的温度降低速度、延长了退火时间，有利于将熔化的非晶硅退火形成大晶粒的多晶硅薄膜；由于本发明的低温多晶硅薄膜的制备方法采用该准分子激光退火装置，能够获得大晶粒的多晶硅薄膜，从而能够得到迁移率较高的多晶硅薄膜晶体管。