横向双扩散金氧半导体装置及其制造方法

摘要

一种横向双扩散金氧半导体装置及其制造方法，其包括：半导体基板；外延半导体层，形成于该半导体基板上；栅极结构，设置于该外延半导体层上；第一掺杂区，设置于邻近该栅极结构的一第一侧的该外延半导体层内；第二掺杂区，设置于相对该栅极结构的该第一侧的一第二侧的该外延半导体层内；第三掺杂区，设置于该第一掺杂区内；第四掺杂区，设置于该第二掺杂区内；沟槽，形成于该第三掺杂区、该第一掺杂区与该第一掺杂区下方的该外延半导体层中；导电接触物，位于该沟槽内；以及第五掺杂区，设置于该第一掺杂区下方的该外延半导体层内。通过本发明可以降低横向双扩散金氧半导体装置的制造成本与元件尺寸。