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纵向晶体管、存储装置以及用于制造纵向晶体管的方法

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一种纵向晶体管(100)，具有设置在半导体衬底(101)中的垂直方向上的一源区(103)、一漏区(109)、一栅极区(108)、和一在源区(103)与漏区(109)之间的沟道区(104)，其中，栅极区(104)具有对源区(103)、对漏区(109)、和对沟道区(104)的电绝缘，并且是如此地围绕沟道区(104)设置的，使得栅极区(108)和沟道区(104)形成一同轴结构。

著录项

公开/公告号CN1265466C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-07-19

原文格式PDF
申请/专利权人因芬尼昂技术股份公司;
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申请/专利号CN02131511.6
发明设计人 P·哈格梅耶;
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申请日2002-06-25
分类号H01L29/78(20060101);H01L27/105(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张志醒
地址联邦德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 08:58:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-06-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 授权公告日:20060719 终止日期:20180625 申请日:20020625

专利权的终止
2006-07-19

授权

授权
2006-07-19

授权

授权
2004-08-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-08-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-03-05

公开

公开
2003-03-05

公开

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