薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用

摘要

本发明涉及刻蚀工艺，公开了一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用，所述薄场铝栅的铝刻蚀工艺包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为‑220～‑180伏，自动捕捉终点；在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为‑220～‑180伏，过刻蚀时长为1分钟。采用本发明的技术方案，可大大提高铝比氧化层的选择比，减少栅氧损失，进而提高产品良率。