超高速ECL工艺中铝和硅-铝的反应离子刻蚀

摘要

随着超大规模集成电路的发展,对各种薄膜材料的刻蚀提出了越来越高的要求,湿法刻蚀已难以满足新器件的要求。我们在RIE系统中,针对超高速ECL工艺中铝和硅铝的刻蚀进行研究,通过实验给出了压力、功率密度、气体组分与流量以及衬底温度对刻蚀速率影响的关系曲线。实验证明,在条件优化的情况下,对Al和Al-Si刻蚀速率分别为0.3μm/min和0.2μm/min线条的精度控制可达3μm。最后根据实验结果给出最佳刻蚀工艺条件。