首页> 中国专利> 全包围栅晶体管的可变栅极宽度

全包围栅晶体管的可变栅极宽度

摘要

本文中描述了具有一个或多个有效纳米线和一个或多个无效纳米线的基于纳米线的全包围栅晶体管器件。还描述了制造这种器件的方法。本发明的一个或多个实施例涉及改变包括具有不同数量的纳米线的纳米线堆叠体的晶体管结构的栅极宽度的方法。所述方法包括通过分离沟道区、掩埋源极和漏极区或二者来使一定数量的纳米线无效(即从而电流不流过纳米线)。总的来说,可以通过使一定数量的纳米线无效、而保持其它纳米线为有效来改变具有多个纳米线的基于纳米线的结构的栅极宽度。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-20

    授权

    授权

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20111230

    实质审查的生效

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20111230

    实质审查的生效

  • 2014-09-17

    公开

    公开

  • 2014-09-17

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号