一种黑硅表面清洗方法及黑硅电池制备方法

摘要

本发明提供了一种黑硅表面清洗方法以及黑硅电池的制备方法，通过如下步骤完成黑硅表面清洗：1)、将黑硅硅片放在混合溶液A中浸泡10～60分钟；2)、使用循环去离子水清洗1～3次；3)、再次使用循环去离子水对步骤2)中清洗过的黑硅硅片清洗1～3次；4)、将步骤3)中烘干后的黑硅硅片至于氧气中，用低压水银灯产生的紫外光照射黑硅表面进行光清洗。本发明公开的方法，不仅能够提高黑硅电池的转换效率，工艺参数具体，便于控制，而且简单易行，适合工业化生产。