具有低源极电阻的场效应晶体管器件

摘要

一种半导体器件，包括：漂移层，具有第一导电类型；阱区域，在该漂移层中，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型；以及源极区域，在该阱区域中。该源极区域具有该第一导电类型并且限定该阱区域中的沟道区域。该源极区域包括邻近该沟道区域的横向源极区域，以及从横向源极区域相反于该沟道区域而延伸开的多个源极接触区域。具有该第二导电类型的体接触区域位于该多个源极接触区域的至少两个之间并且与该阱区域接触。