一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法

摘要

本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子体源将氧气活化，变成氧原子再引进到生长室，有效地降低了生长温度，同时利用铂金丝缠绕在由高纯陶瓷制成的炉盘上作为衬底加热装置，通过铂铑热偶对温度进行监控，避免了氧化问题，实现了ZnO、ZnMgO薄膜的制备。本发明适合于利用分子束外延制备氧化物薄膜。