亚微米级低损耗单晶钇铁石榴石薄膜的液相外延制备方法

摘要

本发明提供了一种亚微米级低损耗单晶钇铁石榴石薄膜的液相外延制备方法，属于电子材料领域。本发明在单晶钇铁石榴石薄膜的生长温度区间的最低温度点、高转速的条件下，采用液相外延法生长亚微米级单晶钇铁石榴石薄膜。本发明采用低生长温度高转速的方法制备得到的亚微米级单晶钇铁石榴石薄膜，与基底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度好，为单晶态，其薄膜厚度为100～1000nm，铁磁共振线宽很窄，约为3 Oe以下；且薄膜的结构致密、表面平整，是一种可应用于自旋逻辑器件的良好材料。