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具有非常低的光学串扰以及改进的读出的硅光电倍增器

摘要

基于硅的光电倍增器器件包括基板(1)、第一导电类型的第一层(2)、以及在第一层上形成的第二导电类型的第二层(3),其中,第一层(2)和第二层(3)形成p‑n结,其中,第一层(2)和第二层(3)被设置在基板(1)上或者基板(1)的上面。在基板(1)和第一层(2)之间的材料层(15)实现光吸收体的功能,因此高效地抑制器件的相邻单元之间的串扰。材料层(15)还可以用作用于从器件读出电信号的电极。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-09

    授权

    授权

  • 2015-12-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20140416

    实质审查的生效

  • 2015-12-02

    公开

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