用于FinFET技术的感测放大器布局

摘要

本发明提供了用于FinFET技术的感测放大器布局。感测放大器(SA)包括具有定义氧化(OD)区的半导体衬底、SA感测器件对、SA使能器件和用于携带感测放大器使能(SAE)信号的SAE信号线。该SA感测器件对具有与SA使能器件相等的多晶硅栅长度Lg，并且它们都共享相同的OD区。当激活时，SAE信号使SA使能器件导通以使SA感测器件对中的一个进行放电，以用于从感测放大器感测数据。