一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

摘要

本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n⁺‑GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖特基接触，其还包括由p‑GaN缓冲层和n‑GaN缓冲层竖向排列形成的超结缓冲层，所述的超结缓冲层位于n⁺‑GaN衬底与GaN沟道层之间。本发明中，由p‑GaN缓冲层和n‑GaN缓冲层形成的超结结构可以在器件击穿时完全耗尽，器件整个缓冲层都可以承受耐压，从而大幅提升器件击穿电压。