首页> 中国专利> 一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法

一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法

页面导航

摘要

本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiN

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-09

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/26 授权公告日:20170419 终止日期:20171125 申请日:20131125

专利权的终止
2017-04-19

授权

授权
2017-04-19

授权

授权
2014-04-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/26 申请日:20131125

实质审查的生效
2014-04-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/26 申请日:20131125

实质审查的生效
2014-03-05

公开

公开
2014-03-05

公开

公开

查看全部

1. 一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法 [P] . 中国专利： CN103618037B . 2017.04.19
2. 一种离子液体在制备硅掺杂碳量子点中的应用以及硅掺杂碳量子点的制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN109920998A . 2019-06-21
3. A METHOD MANUFACTURING COLLOIDAL SILICON QUANTUM DOT VISIBLE SPECTRUM LIGHT-EMITTING DIODE, AND COLLOIDAL SILICON QUANTUM DOT VISIBLE SPECTRUM LIGHT-EMITTING DIODE [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012147980A1 . 2012-11-01

机译：制造胶体硅量子点可见光谱发光二极管的方法和胶体硅量子点可见光谱发光二极管
4. YELLOW EMITTING CE3+DOPED SILICATE PHOSPHOR AND PREPARATION METHOD THEREOF, AND WHITE LIGHT EMITTING DIODES COMPRISING SAID CE3+DOPED SILICATE PHOSPHOR [P] . 韩国专利： KR20070102869A . 2007-10-22

机译：黄色发光的CE3 +掺杂的硅磷及其制备方法，以及包括所述的CE3 +掺杂的硅酸盐的白光发光二极管
5. METHOD FOR FORMING SILICON QUANTUM DOT OF SEMICONDUCTOR DEVICE TO OBTAIN GOOD CHARACTERISTIC OF DEVICE AND GUARANTEE STABLE OPERATION CHARACTERISTIC OF SILICON QUANTUM DOT [P] . 韩国专利： KR20050009901A . 2005-01-26

机译：形成半导体器件硅量子点以获取器件良好特性和保证硅量子点稳定运行特性的方法