集成MOS器件的CMOS湿度传感器形成方法

摘要

一种集成MOS器件CMOS湿度传感器形成方法，其中集成MOS器件CMOS湿度传感器的形成方法包括：利用MOS器件中的子金属互连层的形成工艺形成湿度传感器的下电极层、第一金属互连层、第一电连接层、第二电连接层以及上电极层；然后采用兼容标准CMOS工艺中的刻蚀工艺、各向同性刻蚀工艺，在传感器区形成环形凹槽以及隔热区域，在传感器区形成相互贯穿的通孔以及沟槽；然后形成填充满通孔和沟槽的湿敏材料层。本发明湿度传感器的形成工艺与MOS器件的形成工艺完全兼容，将湿度传感器和MOS器件集成在同一芯片上，缩小了芯片面积，降低了功耗，提高了集成度和产量。