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CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件

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本发明公开了一种CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管表面具有第一应力膜，所述PMOS晶体管表面具有第二应力膜，所述第一应力膜和所述第二应力膜的接触面为斜面。本发明的CMOS器件应力膜的形成方法能够消除NMOS晶体管和PMOS晶体管应力膜接合部位的凸起。

著录项

公开/公告号CN100517652C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-07-22

原文格式PDF
申请/专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
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申请/专利号CN200610118840.3
发明设计人吴汉明;张海洋;马擎天;
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申请日2006-11-28
分类号H01L21/8238(20060101);H01L27/092(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人逯长明
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:02:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-12-14

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8238 变更前: 变更后:

专利申请权、专利权的转移
2009-07-22

授权

授权
2008-07-30

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-06-04

公开

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1. CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 [P] . 中国专利： CN100517652C . 2009.07.22
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