调整多阈值电压的FinFET/三栅极沟道掺杂

摘要

控制鳍式场效应晶体管(FinFET)内阈值电压的实施例方法包括：在鳍的中间部分的上方形成虚拟栅极，鳍的中间部分设置在未受虚拟栅极保护的鳍的外部部分之间；去除鳍的外部部分且用外延生长的含硅材料代替鳍的外部部分；在虚拟栅极和外延生长的含硅材料的上方应用旋涂光刻胶，然后去除虚拟栅极的硬掩膜层上方的旋涂光刻胶；蚀刻掉虚拟栅极的硬掩膜和多晶硅，以露出虚拟栅极的栅氧化物，其中，栅氧化物设置在鳍的中间部分的上方；以及穿过设置在鳍的中间部分上方的栅氧化物，将离子注入到鳍的中间部分中。