机译:无结三栅极FinFET的沟道电势,阈值电压和亚阈值摆幅的分析模型
Fudan Univ, Sch Informat Sci & Technol, State Key Lab ASIC & Syst, 220 Handan Rd, Shanghai 200433, Peoples R China;
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Semiconductor device; Analytical; MOSFET; Modeling and simulation;
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