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【2h】

An analytical subthreshold current/swing model for junctionless cylindrical nanowire FETs (JLCNFETs)

机译：结圆柱纳米线FET（JLCNFET）的分析亚阈值电流/摆动模型

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Te-Kuang Chiang; Juin Liou;
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年度 2013
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1. AN ANALYTICAL SUBTHRESHOLD CURRENT/SWING MODEL FOR JUNCTIONLESS CYLINDRICAL NANOWIRE FETS (JLCNFETS) [J] . Te-Kuang Chiang, Juin J. Liou Facta Universitatis. Series Electronics and Energetics . 2013,第3期

机译：无结型圆柱纳米脚（JLCNFET）的亚阈值分析电流/摆动模型
2. Analytical models for channel potential, threshold voltage, and subthreshold swing of junctionless triple-gate FinFETs [J] . Hu Guangxi, Hu Shuyan, Feng Jianhua, Microelectronics journal . 2016,第Apra期

机译：无结三栅极FinFET的沟道电势，阈值电压和亚阈值摆幅的分析模型
3. A Gaussian approach for analytical subthreshold current model of cylindrical nanowire FET with quantum mechanical effects [J] . Sharma Sanjeev Kumar, Raj Balwinder, Khosla Mamta Microelectronics journal . 2016,第Jula期

机译：具有量子力学效应的圆柱形纳米线FET的亚阈值电流分析模型的高斯方法
4. Implantation free GAA double spacer poly-Si nanowires channel junctionless FETs with sub-1V gate operation and near ideal subthreshold swing [C] . Po-Yi Kuo, Jer-Yi Lin, Tien-Sheng Chao IEEE International Electron Devices Meeting . 2015

机译：具有1V以下栅极操作和接近理想亚阈值摆幅的免注入GAA双间隔多晶硅纳米线沟道无结FET
5. Analytical Modeling of Drain-Current Characteristics of AlGaN/GaN HFETs with Incorporation of the Impacts of Virtual-Gate and Transferred-Electron Effect. [D] . Moradi, Maziar. 2010

机译：结合虚拟栅极和转移电子效应的影响，对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
6. Nanowire Tunnel FET with Simultaneously Reduced SubthermionicSubthreshold Swing and Off-Current due to Negative Capacitance andVoltage Pinning Effects [O] . Ali Saeidi, Teodor Rosca, Elvedin Memisevic, -1

机译：同时减少亚热离子的纳米线隧道FET负电容和亚阈值摆幅和关断电流电压固定效应
7. Two-dimensional(2D) subthreshold current and subthreshold swing modeling of double-material-gate(DMG) strained-Si(s-Si) on silicon-germanium(SiGe) MOSFETs. [O] . Mukhopadhyay A K 2014

机译：硅锗（SiGe）MOSFET上的双材料栅极（DMG）应变硅（s-Si）的二维（2D）亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。

An analytical subthreshold current/swing model for junctionless cylindrical nanowire FETs (JLCNFETs)

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