一种3D芯片堆叠的含Eu、纳米Au的互连材料

摘要

本发明公开了一种3D芯片堆叠的含Eu、纳米Au的互连材料，属于芯片互连材料领域。该互连材料的稀土Eu元素含量为0.01～0.5％，纳米Au颗粒为5～8％，其余为In。首先制备In‑Eu中间合金粉末，其次混合In‑Eu粉末、In粉末、松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加纳米Au颗粒，充分搅拌制备膏状含Eu和纳米Au颗粒的互连材料，采用精密丝网印刷和回流焊工艺在芯片表面制备凸点，在一定压力(1MPa～10MPa)和温度(170℃～260℃)条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度互连焊点。本互连材料具有高可靠性，可用于三维封装芯片堆叠。