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3次元積層LSIシステムに向けた超並列通信バス方式によるチップ間インターコネクト技術

机译:大规模并行通信总线的3D堆叠LSI系统芯片对芯片互连技术

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摘要

我々は3次元積層LSIのチップ間通信技術においてチップ中央部に共通して配置されたシリコン貫通電極(TSV: Through Si Via)とバンプ接続による超並列通信バス方式を提案している.本稿では,超並列通信バス方式によるチップ間接続技術の基本概念に併せて,TSVの形成と低容量化技術,円錐バンプを用いた低温•低荷重のチップ積層技術について報告する.%We have proposed the ultrawide-interchip-bus system for the interchip communication of the 3-dimentional stacked LSI systems. The ultrawide-interchip-bus is assembled in the center of the 3-D stacked LSI by interconnection of the TSVs and micro-bumps array. In this paper, the 3-D interconnect technology, which are achieved by the fabrication of low-capacitance TSVs and the low-stress bonding process of Au cone-bumps, on the basic concept of the ultrawide-interchips-bus system is reported.
机译:我们提出了一种大规模并行通信总线方法,该方法使用与3D堆叠LSI的芯片对芯片通信技术中通常布置在芯片中心的硅穿通电极(TSV:Through Si Via)进行凸点连接。除了基于大规模并行通信总线方法的芯片到芯片连接技术的基本概念之外,我们还报告了TSV的形成和容量降低技术以及使用锥形凸块的低温和低负载芯片堆叠技术。%我们提出了超宽芯片间总线系统,用于3维堆叠LSI系统的芯片间通信。超宽芯片间总线通过TSV和微凸点阵列的互连组装在3-D堆叠LSI的中心。报道了基于超宽芯片间总线系统的基本概念的3-D互连技术,该技术通过低电容TSV的制造和Au锥形凸块的低应力键合工艺实现。

著录项

  • 来源
    《電子情報通信学会技術研究報告》 |2012年第170期|43-48|共6页
  • 作者单位

    産業技術総合研究所 〒305-8568 つくば巿梅園1-1-1 つくば中央第2;

    産業技術総合研究所 〒305-8568 つくば巿梅園1-1-1 つくば中央第2;

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    産業技術総合研究所 〒305-8568 つくば巿梅園1-1-1 つくば中央第2;

    産業技術総合研究所 〒305-8568 つくば巿梅園1-1-1 つくば中央第2;

    株式会社トプスシステムズ 〒305-0032 つくば巿竹園1-6-1つくば三井ビルディング5階;

    株式会社トプスシステムズ 〒305-0032 つくば巿竹園1-6-1つくば三井ビルディング5階;

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    産業技術総合研究所 〒305-8568 つくば巿梅園1-1-1 つくば中央第2;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

    3次元積層LSI; TSV; Au円錐バンプ; チップ間接続; 超並列通信バス;

    机译:3D堆叠式LSI;TSV;Au锥形凸块;芯片连接;大规模并行通信总线;
  • 入库时间 2022-08-18 00:29:21

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