利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法

摘要

本发明提供了利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型轻掺杂离子注入区，P型轻掺杂离子注入区包括：P型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区包括：P型阱、栅极、介质层，以及对应于P型阱的接触孔；对P型轻掺杂离子注入区注入P型轻掺杂离子；经负电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免P型轻掺杂离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。