MEMS器件及晶圆级密封性的测量方法

摘要

本发明提供一种MEMS器件及晶圆级密封性的测量方法，MEMS器件的测量方法包括：提供一由上至下依次由第一晶片、第二晶片和第三晶片键合而成的MEMS器件，第二晶片中具有一MEMS装置，第一晶片和第三晶片通过MEMS装置互通形成有空腔；使空腔区域对应的第一晶片薄膜厚度减薄；将MEMS器件放入一具有光学传感器的气压量测仪中，空腔对应的第一晶片表面与光学传感器面对面放置；气压量测仪中送入一大于空腔中的气压的预定气压；经过一预定时间后，通过光学传感器记录来自于空腔对应的第一晶片表面的光的反射角；重复上一步，比较每次记录的反射角，以评估MEMS器件的密封性能，此方法操作简单、效率高、成本低。