一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公布了一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法。该器件包括隧穿源区、沟道区、漏区和位于沟道区上方的控制栅，其中，隧穿源区与沟道区的异质隧穿结的能带结构为反错层型异质结。若为N型器件则在隧穿源区与沟道区的异质隧穿结交界面处，隧穿源区的导带底位于沟道区的价带顶以下；若为P型器件则隧穿源区的价带顶位于沟道区的导带底以上。本发明可显著提高隧穿场效应晶体管的开态电流，同时有效抑制器件关态电流，保持较陡直的亚阈值斜率。其制备方法有效地利用标准工艺制备由TFET组成的低功耗集成电路，极大地降低生产成本，工艺简单。