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李占生;
天津工业大学科技处;
共振隧穿二极管; 光电集成; 基金项目; 晶体管; 异质结; 教委; 板型; 光敏; 科技发展; 工程学院;
机译:谐振隧穿和双异质结双极晶体管在InP上的共集成
机译:基于非对称双栅Ge / GaAs-异质结隧穿场效应晶体管的无电容器单晶体管动态随机存取存储器,具有n掺杂的升压层和漏极-下覆结构
机译:使用异质结双极晶体管和折射-Facet光电二极管的共享层集成制造基于InP的光电集成电路(OEIC)光接收器
机译:具有双异质结的InP共振隧穿双极晶体管的设计,制造和表征
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:置换缺陷对基于扶手椅石墨烯和氮化硼纳米带横向异质结的共振隧穿二极管的影响
机译:alas-Gaas-alas异质结中空穴的共振隧穿
机译:具有石墨烯-绝缘体-半导体结构的隧穿二极管,隧穿晶体管,隧穿光电二极管和隧穿光电晶体管
机译:确定基于多层铝(铝,镓,砷)半导体异质结的纳米电子共振隧穿二极管(RTD)的抗辐射和温度效应的方法
机译:共振隧穿异质结双极晶体管器件
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