射频LDMOS器件的边缘隔离结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件边缘隔离优化结构，在大功率器件中，由于较大的栅宽导致的漏电，在边缘进行隔离时，将源极金属层向漏极金属层与隔离环区交界的区域延伸，利用源极金属层的接地，将漏极金属层与隔离环进行屏蔽，防止漏极金属中较高的电压导致隔离环区反型而产生漏电，方法简单易于实施且效果良好。本发明还公开了所述射频LDMOS器件边缘隔离优化结构的制造方法。