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降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法

摘要

本发明公开了一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法,包括:在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层;在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层;在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形;以电子束光刻胶图形为掩模,刻蚀第二硬掩模层形成第二硬掩模图形;以第二硬掩模图形为掩模,刻蚀第一硬掩模层形成第一硬掩模图形;以第一和第二硬掩模图形为掩模,刻蚀结构材料层,形成所需要的线条。依照本发明的方法,采用材质不同的多层硬掩模层并且多次刻蚀,防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层,有效降低了线条的粗糙度,提高了工艺的稳定性,降低了器件性能的波动变化。

著录项

  • 公开/公告号CN103676491B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201210353546.6

  • 发明设计人 孟令款;贺晓彬;李春龙;

    申请日2012-09-20

  • 分类号G03F7/20(20060101);G03F1/20(20120101);H01L21/027(20060101);

  • 代理机构11345 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈红

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3#

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-28

    授权

    授权

  • 2015-06-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20120920

    实质审查的生效

  • 2014-03-26

    公开

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