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形成通过封装剂之上的绝缘层的开口供互连结构的增强粘合性的半导体器件和方法

摘要

半导体器件具有安装到载体的半导体小片。封装剂沉积在半导体小片和载体之上。去除载体。在半导体小片的占用面积外部的互连部位中的封装剂的一部分之上形成第一绝缘层。开口形成为通过互连部位中的第一绝缘层,以便露出封装剂。开口能够是环形的或是互连部位周围以及互连部位的中心区域中的通孔,以便露出封装剂。在第一绝缘层之上形成第一导电层,以便跟随第一绝缘层的轮廓。在第一导电层和外露封装剂之上形成第二导电层。在第二导电层之上形成第二绝缘层。在互连部位中的第二导电层之上形成凸块。

著录项

  • 公开/公告号CN102569097B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新科金朋有限公司;

    申请/专利号CN201110429755.X

  • 发明设计人 林耀剑;陈康;方建敏;

    申请日2011-12-09

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人俞华梁

  • 地址 新加坡新加坡市

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-14

    授权

    授权

  • 2013-12-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20111209

    实质审查的生效

  • 2012-07-11

    公开

    公开

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