在种子层之上形成互连结构的半导体器件和方法

摘要

本发明涉及在种子层之上形成互连结构的半导体器件和方法。一种半导体器件具有半导体管芯，在管芯之上形成有第一导电层。在管芯之上形成第一绝缘层，第一绝缘层中的第一开口被设置在第一导电层之上。在第一绝缘层之上并进入到第一导电层之上的第一开口中形成第二导电层。通过在第一绝缘层之上形成具有小于第一开口的宽度的第二开口的第二绝缘层并向第二开口中沉积导电材料来构造互连结构。该互连结构可以是导电柱或导电焊盘。互连结构具有比第一开口的宽度小的宽度。去除第一开口外面的第一绝缘层之上的第二导电层，同时留下互连结构下面的第二导电层。