公开/公告号CN104362109B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司;
申请/专利号CN201410593840.3
申请日2014-10-29
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人李相雨
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
入库时间 2022-08-23 09:49:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-21
授权
授权
2015-03-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20141029
实质审查的生效
2015-02-18
公开
公开
机译: 这些是多晶太阳能电池以及在硅衬底上制造廉价的多晶硅藻土太阳能电池的方法。
机译: 在膜应力可控的情况下在多晶硅衬底上生长用于捕获电荷的多晶硅膜的方法
机译: 用于制造多晶硅的方法和设备以及用于太阳能电池的硅衬底的制造方法