电化学腐蚀多晶硅衬底减反射效果研究

摘要

将多晶硅片置于HF、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、去离子水的混合溶液中,研究电流密度、腐蚀时间对多晶硅绒面形貌以及表面反射率的影响.实验结果表明,可在多晶硅上获得平均孔径为5 ～ 20μm、深为1～ 3μm的腐蚀坑,其加权反射率达到11.3％,较处理之前降低了60％.