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对双极型晶体管进行仿真的方法及双极型晶体管仿真电路

摘要

本发明公开了一种对双极型晶体管进行仿真的方法,其先建立一双极型晶体管仿真电路,双极型晶体管仿真电路包括一标准双极型晶体管、一电压控制电流源和一寄生电阻;电压控制电流源、寄生电阻串接在标准双极型晶体管的基极同集电极之间;然后该双极型晶体管仿真电路对双极型晶体管进行仿真。本发明还公开了一种双极型晶体管仿真电路。本发明能仿真双极型晶体管集电极在高压偏置条件下的电流击穿特性,仿真精度高。

著录项

  • 公开/公告号CN103810311B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201210452059.5

  • 发明设计人 王正楠;

    申请日2012-11-13

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人王江富

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    授权

    授权

  • 2014-06-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20121113

    实质审查的生效

  • 2014-05-21

    公开

    公开

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