公开/公告号CN103810311B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210452059.5
发明设计人 王正楠;
申请日2012-11-13
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人王江富
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:49:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-21
授权
授权
2014-06-18
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20121113
实质审查的生效
2014-05-21
公开
公开
机译: 垂直双极型晶体管的制造方法,该垂直双极型晶体管由氧化物以及由氧化铁制造的垂直双极型晶体管和由铝制成的铝辅助结构
机译: 导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法及导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法
机译: 防止短路状态的绝缘栅双极型晶体管的保护方法和至少两个串联连接的绝缘栅双极型晶体管的保护方法