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公开/公告号CN102324455B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 克里公司;
申请/专利号CN201110276667.0
发明设计人 M·拉费托;J·巴拉坦;K·哈贝雷恩;M·伯格曼;D·埃默森;J·伊贝特森;T·李;
申请日2005-07-27
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人高为
地址 美国北卡罗来纳州
入库时间 2022-08-23 09:48:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-10-12
授权
2012-03-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/42 申请日:20050727
实质审查的生效
2012-01-18
公开
机译: 用于p型氮化物发光器件的超薄欧姆接触及其形成方法
机译:铟锌氧化物中间层用于形成与用于UV发光二极管的p型GaN的Ag基欧姆接触的用途
机译:低电阻和透明Ni-co固溶体/ P型Gan的欧姆接触,用于基于绿色Gan的发光二极管
机译:p型GaN的高温欧姆接触,用于发光应用
机译:Ag膜上的石墨烯,用于与GaN基发光二极管中的p型GaN形成反射导电层欧姆接触
机译:p型和n型碳化硅的欧姆接触的制造和表征,并应用于p-n结二极管。
机译:分析光致发光的热猝灭:氮化物的高效p型掺杂设计指南
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