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一种金刚石和碳化硅纳米混相复合薄膜的制备方法

摘要

一种金刚石和碳化硅纳米混相复合薄膜的制备方法,其特征在于:以H2、甲烷或四甲基硅烷或其混合物的气体为原料,其中H∶C∶Si=1∶0.005~0.1∶0.005~0.02,采用化学气相沉积过程制备金刚石/碳化硅纳米混相复合薄膜;在沉积过程中,通过调节气体的化学组分,形成金刚石和碳化硅纳米混相沿深度梯度变化的复合薄膜。本发明可以有效地解决金刚石薄膜与金属基体间的结合问题,从而使得金刚石薄膜在工业中的应用成为可能。

著录项

  • 公开/公告号CN1219911C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 姜福英;姜辛;

    申请/专利号CN02132885.4

  • 发明设计人 姜辛;

    申请日2002-09-09

  • 分类号C23C16/27;

  • 代理机构21001 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司;

  • 代理人张晨

  • 地址 110001 辽宁省沈阳市和平区九纬路4号10-4-2

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-11-04

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2005-09-21

    授权

    授权

  • 2004-05-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-03-17

    公开

    公开

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