倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

摘要

本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件背面上，所述膜在波长532nm或1064nm处的透光率为20％以下，并在激光标识后，该膜标识部分与除标识部分外的其它部分的对比度为20％以上。