首页> 中国专利> 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

摘要

公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上,其中所述倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量为该膜热固化前总体积的2体积%至30体积%。因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上,因此该膜用于保护半导体元件。另外,因为倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量大于或等于该膜热固化前的总体积的2体积%,因此该膜在将半导体元件倒装芯片连接至物体时能够有效地抑制或防止半导体元件翘曲。

著录项

  • 公开/公告号CN102947930B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日东电工株式会社;

    申请/专利号CN201180030498.0

  • 发明设计人 高本尚英;志贺豪士;

    申请日2011-04-18

  • 分类号

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘新宇

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:43:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-10

    授权

    授权

  • 2013-04-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/00 申请日:20110418

    实质审查的生效

  • 2013-02-27

    公开

    公开

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