公开/公告号CN1215548C
专利类型发明授权
公开/公告日2005-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN02105021.X
申请日2002-02-10
分类号H01L21/70;H01L21/283;H01L21/31;H01L21/3205;
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人潘培坤
地址 台湾省新竹
入库时间 2022-08-23 08:57:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-08-17
授权
授权
2003-11-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-08-27
公开
公开
2002-07-31
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 制备具有多层触点和存储电容器的存储结构的方法,该存储电容器具有结晶的五氧化铌和五氧化钽膜的复合介电层
机译: 形成其中具有复合氧化钛和五氧化二钽介电层的集成电路电容器的方法以及由此形成的电容器
机译: 用于dram电容器的五氧化二钽介电层的制造方法