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曲铭浩; 胡跃辉; 冯景华; 谢耀江; 王立富;
景德镇陶瓷学院,景德镇,333001;
氧化钽薄膜; 介电常数; 漏电流密度;
机译:钽或氧化钛高k介电叠层的SiGe pMOSFET器件的电气特性
机译:用高折射率对比非晶硫族化物薄膜制备介电镜
机译:还原氧化石墨烯对氮化硼的表面改性,以制备介电常数高且介电损耗得到良好抑制的介电材料
机译:掺杂钽氧化物高k介电薄膜
机译:研究用于高能量密度电容器的氧化锆,五氧化钽和氧化物-聚合物层压膜中的结构-介电特性关系。
机译:BaTiO3 / MWNTs /聚偏二氟乙烯介电性能优异击穿率高的介电复合材料强度和高能量存储密度
机译:用于未来CMOS技术的掺钽氧化物高k栅极介电膜
机译:与聚酯薄膜相似的复杂形状介电薄膜制备新工艺
机译:基于钽的高介电材料和高介电薄膜及半导体器件的形成方法
机译:用于制备介电薄膜的气组成,用于介电薄膜的涂料组合物,使用该薄膜制备介电薄膜的方法以及制备介电薄膜
机译:铝或钽电解电容器-添加介电二氧化硅层。到介电氧化铝或氧化钽层
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