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一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法

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本发明公开了一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法，包括以下步骤：S10，制备改性的聚偏氟乙烯，即MD‑PVDF；S20，制备交联的聚偏氟乙烯，即XL‑PVDF；S30，制备PVDF/XL‑PVDF介电薄膜。本发明提供了一种既能提高介电常数，又使击穿强度不至于大幅下降的，全有机介电薄膜的制备方法。

著录项

公开/公告号CN111995779A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-27

原文格式PDF
申请/专利权人杭州电子科技大学;
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申请/专利号CN202010841046.1
发明设计人卢红伟;张慧龙;张木华;范巧兰;李毅峰;苏伟涛;郭筱洁;
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申请日2020-08-20
分类号C08J5/18(20060101);C08J3/24(20060101);C08L27/16(20060101);C08L39/06(20060101);
代理机构33233 浙江永鼎律师事务所;
代理人陆永强
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区
入库时间 2023-06-19 09:01:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-10-31

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C08J 5/18 专利申请号:2020108410461 申请公布日:20201127

发明专利申请公布后的驳回

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