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用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法

摘要

本发明公开了一种用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法,涉及半导体工艺技术领域。该静电吸盘包括用于支撑晶圆的绝缘层;和能够安装于所述绝缘层的第一表面上方的光束源。光束源的光束的方向和输出功率可调整。与流体冷却系统配合,通过控制光束源的方向和输出功率来调节被吸附在ESC上面的晶圆的温度,从而能够更好地调整温度的不一致性,可以大大提高晶圆温度一致性,特别是改善非径向温度不一致性。

著录项

  • 公开/公告号CN103177997B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201110434746.X

  • 发明设计人 何其旸;张翼英;

    申请日2011-12-22

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人孙宝海

  • 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:46:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-31

    授权

    授权

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/683 申请日:20111222

    实质审查的生效

  • 2013-06-26

    公开

    公开

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